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分子束外延薄膜用超高純臭氧系統(tǒng)介紹

發(fā)布日期:2024-05-15  瀏覽次數(shù):

分子束外延薄膜用超高純臭氧系統(tǒng)介紹

主要配件

配備3套低溫蒸發(fā)源(100~1100℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc 配套2套中溫蒸發(fā)源(300~1500℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc 配備15KeV高能電子衍射系統(tǒng)和圖像采集CCD 配備射頻等離子源(433MHz) 配備電子束蒸發(fā)源 配備液化型超高純臭氧系統(tǒng)

主要參數(shù)

適用1英寸及以下襯底; 襯底加熱可達950℃;

儀器介紹

儀器名稱(中文/英文)分子束外延薄膜制備系統(tǒng)(MBE)
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規(guī)格型號定制
儀器功能介紹
可外延生長Pt,  ?。粒?,?。校涞冉饘賳尉П∧?,Ga2O3,?。桑裕?, TiO2等氧化物半導(dǎo)體薄膜以及GaN,   InN等半導(dǎo)體薄膜,用于二維材料、量子器件、超導(dǎo)、半導(dǎo)體、納米器件、光學(xué)及其他材料薄膜沉積研發(fā)
性能指標(biāo)
1、適用1英寸及以下襯底;
2、襯底加熱可達950℃;
3、配備3套低溫蒸發(fā)源(100~1100℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc
4、配套2套中溫蒸發(fā)源(300~1500℃),控溫精度±0.1℃,坩堝容量10cc
5、腔體本底真空優(yōu)于5x10-10mbar(完全烘烤后)
樣品要求
樣片直徑應(yīng)為1英寸以下的晶圓或不規(guī)則碎片;
儀器說明
1、配備15KeV高能電子衍射系統(tǒng)和圖像采集CCD,能夠檢測薄膜生長,實現(xiàn)原子層級精準(zhǔn)控制,電子束光斑大?。迹罚唉蹋?,最大電子束束流340μA;
2、配備射頻等離子源(433MHz),可實現(xiàn)氧、氮等離子體的產(chǎn)生;
3、配備電子束蒸發(fā)源:Max高壓是2kV,加熱絲燈絲電流Max4.5A,束流穩(wěn)定性<0.01A/s=0.2層/min;
4、配備液化型超高純臭氧系統(tǒng),液化池出口臭氧濃度>99.5%,最大臭氧濃度15%


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液化型超高純臭氧系統(tǒng)